一般析晶多发生在黏度为10³~10⁵Pa·s对应的温度范围内。玻璃的杂质含量、OH含量、表面状态、使用气氛和加热的燃料等是造成玻璃析晶（使玻璃转变成方石英）的主要原因。析晶是一个以杂质或不完善的表面为中心并不断蔓延的核化过程。原料中含水或者结构水（Si-OH）时，OH在高温下以蒸汽的形式挥发出来，破坏玻璃结构网络，暴露出新表面，也会加速析晶。

析晶过程包括晶化形成和晶体生长两个阶段。通过均匀成核或者非均匀成核两种过程形成晶化后，熔体中原子在适当的过冷度和过饱和度条件下，向界面迁移，进入晶体生长阶段。当生长过程离开平衡态很小时，生长速度随时冷度增大而增大；当远离平衡时，生长速度随原子扩散速度增大而增大。

析晶过程主要受到过冷度、黏度、杂质、界面能等因素的影响。过冷度大，析晶驱动力大，但过冷度过大时，黏度变大，阻碍质点扩散，因此成核和生长所对应的最佳过冷度不同，对于玻璃来说，成核对应的过冷度要大于生长对应的过冷度，这样就会限制析晶发生。下图为过冷度与晶核形成速率I和成大速达u的关系。

对于大多数硅酸盐熔体和玻璃来说，成核曲线位于低温区，生长曲线位于高温区，当熔体温度下降时，首先经过高温区ac，这时没有核，所以不会析晶；然后经过交叉区cb，既有晶核有能生长，但是速度很低，析晶缓慢，只要冷却速度足够快，即可安全越过交叉区，不析晶或者少析晶；最后来到低温区bd，虽然生成的晶核喝多，但是没有生长条件，因此也不会析晶。如果再次加热熔体冷凝成的玻璃，使之温度达到晶体生长范围，那么在冷却过程中生成的晶化获得生长条件，析晶的可能性大大增加。

析晶也分为失控型析晶和受控型析晶两大类。对玻璃来说，失控型析晶是一种缺陷，使力学性能、光学性质、热稳定性变差；但是受控型析晶则是通过诱导成核控制晶体生长，获得微晶玻璃的方法。